集微網(wǎng)消息，傳芯國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局網(wǎng)站日前公開了上海傳芯半導(dǎo)體有限公司“曝光成像結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)反射式光掩模版組及投影式光刻機(jī)”發(fā)明專利申請(qǐng)。體公投影長(zhǎng)春找小姐上門按摩服務(wù)（薇WhatsApp+189-4143）提供全國(guó)外圍女上門、伴游，空姐，網(wǎng)紅，明星，學(xué)生上門預(yù)約服務(wù) 同城30分鐘內(nèi)到達(dá) 面到付款

　　根據(jù)專利說(shuō)明書，開用刻機(jī)該發(fā)明提供一種用于EUV光刻的光刻光成構(gòu)反光掩曝光成像結(jié)構(gòu)、反射式光掩模版組及投影式光刻機(jī)，像結(jié)曝光成像結(jié)構(gòu)包括第一反射式光掩模版和第二反射式光掩模版，射式式光曝光光線經(jīng)第一反射式光掩模版后，模版將帶有第一反射式光掩模版的組及專利長(zhǎng)春找小姐上門按摩服務(wù)（薇WhatsApp+189-4143）提供全國(guó)外圍女上門、伴游，空姐，網(wǎng)紅，明星，學(xué)生上門預(yù)約服務(wù) 同城30分鐘內(nèi)到達(dá) 面到付款圖形信息的反射光經(jīng)反射裝置反射至第二反射式光掩模版，使得從第二反射式光掩模版反射的傳芯光線同時(shí)包含第一反射式掩模圖形和第二反射式掩模圖形的組合投影圖案，以通過組合投影圖案在晶圓上實(shí)現(xiàn)一次性曝光。半導(dǎo)



　　說(shuō)明書介紹，體公投影這一專利曝光成像結(jié)構(gòu)由于第一反射式掩模圖形與第二反射式掩模圖形被物理分離，開用刻機(jī)可以使得相鄰掩模圖形邊緣沒有光相互作用（如散射、光刻光成構(gòu)反光掩反射或表面等離子體激元效應(yīng)SPP等），像結(jié)可以有效消除臨近圖形所造成的晶圓上的圖案缺陷，光刻工藝的分辨率和對(duì)比度得到較大的提升，晶圓上的圖案缺陷（如圓角、關(guān)鍵尺寸（CD）減少和端部?jī)?nèi)縮等）得到顯著改善，同時(shí)采用一次性曝光便可在晶圓上獲得完整的圖案，光刻工藝的過程也得到簡(jiǎn)化。

　　針對(duì)EUV光源，說(shuō)明書中給出的實(shí)施例顯示，所述光源結(jié)構(gòu)包括等離子體光源，由氣體或蒸氣產(chǎn)生，例如氙氣、鋰蒸氣或錫蒸氣，通過30千瓦功率的二氧化碳激光器每秒2次轟擊霧化的錫（Sn）金屬液滴（其中，錫金屬液滴以每秒50000滴的速度從噴嘴內(nèi)噴出），將錫（Sn）蒸發(fā)成等離子體，通過高價(jià)錫離子能級(jí)間的躍遷獲得13.5nm波長(zhǎng)的EUV光線。

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