伴隨著Daydream的到來(lái)，移動(dòng)VR漸入佳境，新旗正有條不紊的艦驍重慶高端美女上門外圍上門外圍女（電話微信181-8279-1445）提供全球及一二線城市兼職美女上門外圍上門外圍女沿著一條正確的道路向前邁進(jìn)。不過(guò)，動(dòng)VR帶還有幾個(gè)難題在嚴(yán)重桎梏著它的變革發(fā)展，比如運(yùn)算性能、高通公布給移比如功耗控制。新旗而且這些難題顯然不是艦驍VR公司能夠解決的，這還得需要上游芯片廠商從源頭改進(jìn)。動(dòng)VR帶

現(xiàn)在好消息終于來(lái)了，樂(lè)觀點(diǎn)估計(jì)，高通公布給移明年的新旗移動(dòng)VR不僅性能更強(qiáng)，功耗控制的艦驍重慶高端美女上門外圍上門外圍女（電話微信181-8279-1445）提供全球及一二線城市兼職美女上門外圍上門外圍女更好，同時(shí)“充電5分鐘體驗(yàn)2小時(shí)”這種此前想都不敢想的動(dòng)VR帶事情，或許也能實(shí)現(xiàn)。變革

昨天晚上，高通正式公布了全新旗艦款處理器驍龍835，其將采用三星10nm LPE（low-power early，早起低功耗版本）FinFET工藝，相較于14nm FinFET工藝的驍龍820/821，在體積方面將縮小30%以上，功耗降低40%的情況下，性能提升27%。制程工藝從此由14nm邁入嶄新的10nm時(shí)代，這是一個(gè)相當(dāng)不錯(cuò)的開(kāi)始。

高通正式宣布新旗艦驍龍835事實(shí)上，就智能手機(jī)而言，主流處理器的性能足以滿足絕大部分使用需求，甚至可以說(shuō)過(guò)剩，比如說(shuō)我們自己或者總有些朋友還在使用搭載驍龍805或者810這些型號(hào)處理器的手機(jī)產(chǎn)品，但完全是夠用的。這跟Intel或者AMD的主流桌面級(jí)處理器的狀態(tài)很相似，運(yùn)算性能早已不是大問(wèn)題。不過(guò)，在移動(dòng)VR興起之后，對(duì)處理器的運(yùn)算性能提出了更高的要求，也讓像高通這樣的上游芯片廠商有足夠的動(dòng)力去研發(fā)更優(yōu)秀的產(chǎn)品。更強(qiáng)的運(yùn)算性能意味著可以運(yùn)行更復(fù)雜的游戲或者應(yīng)用，更好的功耗控制則預(yù)示著更長(zhǎng)的續(xù)航時(shí)間和更好的發(fā)熱控制。

當(dāng)然，高通驍龍835帶給移動(dòng)VR的變革還不僅于此，別忘了，還有最新的快速充電技術(shù)——QC（Quick Charge）4.0。

按照高通官方的說(shuō)法，QC 4.0加入了Dual Charge技術(shù)，相比QC 3.0來(lái)說(shuō)，充電速度可提升20%，效率則能提升30%。高通產(chǎn)品管理高級(jí)副總裁Alex Katouzian也表示，QC 4.0能在大約15分鐘或更短時(shí)間內(nèi)，充入高達(dá)50%的電池電量。不僅如此，QC 4.0還加入了最佳電壓智能協(xié)商電源管理算法(INOV)，能夠在既定的散熱條件下，自主確定并選擇最佳的電力傳輸水平，從而優(yōu)化充電。

另一方面，QC 4.0能在更準(zhǔn)確地測(cè)量電壓、電流和溫度的同時(shí)，保護(hù)電池、系統(tǒng)、線纜和連接器。防止電池過(guò)度充電，并在每個(gè)充電周期調(diào)節(jié)電流。

為了配合QC 4.0，高通還推出了最新的電源管理芯片SMB1380和SMB1381。SMB1380和SMB1381具有低阻抗、高達(dá)95%的峰值效率和先進(jìn)的快充特性(例如電池差分感知)，可經(jīng)由任何5V USB Type-C或高壓電源通過(guò)高度不到0.8毫米的充電解決方案組合，為超薄的移動(dòng)終端提供最快的電池充電。更好的消息在于，SMB1380/1381電源管理芯片預(yù)計(jì)在今年年底之前就開(kāi)始提供。

高通并沒(méi)有公布更多驍龍835處理器的細(xì)節(jié)，但卻表示，目前這款處理器已經(jīng)投入生產(chǎn)，預(yù)計(jì)將會(huì)在2017年上半年正式上市。不出意外的話，驍龍835將會(huì)成為明年上半年Android旗艦手機(jī)的標(biāo)配。至于哪家廠商能夠拔得頭籌，或許不久之后的CES以及MWC上就能有點(diǎn)眉目。當(dāng)然，我們更關(guān)注哪家VR一體機(jī)廠商會(huì)率先推出基于高通驍龍835解決方案的新品。

高通新旗艦驍龍835處理器

對(duì)于手機(jī)而言，“充電5分鐘，通話2小時(shí)”這句耳熟能詳?shù)膹V告詞，在明年可能會(huì)升級(jí)成“充電5分鐘，通話5小時(shí)”。而對(duì)于移動(dòng)VR來(lái)說(shuō)，充電5分鐘體驗(yàn)2小時(shí)，也將邁出從“完全不可能”到“很有可能”的重要一步。

最后，簡(jiǎn)單總結(jié)一下，高通全新驍龍835處理器會(huì)給移動(dòng)VR帶來(lái)的變革。

1、更強(qiáng)的運(yùn)算性能，更多大型復(fù)雜場(chǎng)景的內(nèi)容將出現(xiàn)在移動(dòng)VR上面，移動(dòng)VR和PC VR/主機(jī)VR在體驗(yàn)上的差距將被拉近;

2、更好的功耗控制，不管是續(xù)航問(wèn)題，還是發(fā)熱問(wèn)題，都能得到更好的解決(對(duì)VR一體機(jī)而言，沒(méi)準(zhǔn)被動(dòng)式散熱方案會(huì)全面取代主動(dòng)式散熱方案);

3、更高效的充電，這意味著不用過(guò)分擔(dān)心因?yàn)轶w驗(yàn)VR而讓手機(jī)迅速掉電，從而導(dǎo)致暫時(shí)無(wú)法使用的尷尬，對(duì)于VR一體機(jī)來(lái)說(shuō)，將在很大程度上緩解充電等待時(shí)間過(guò)長(zhǎng)的問(wèn)題;

4、其他方面的驚喜，或許還會(huì)有基于VR的更多優(yōu)化，我們不妨耐心等待高通公布更多的細(xì)節(jié)。

很贊哦!（4）